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低壓近場靜電紡絲(si) 技術通過減小紡絲(si) 距離降低紡絲(si) 電壓,既能減少能耗又能提高安全係數,而且有效地解決(jue) 了傳(chuan) 統靜電紡絲(si) 過程的不穩定性,實現了纖維的可控沉積,為(wei) 滿足目前工業(ye) 化生產(chan) 中對大規模製備微納米纖維以及控製纖維形貌的需求提供可能,因此在納米直寫(xie) 技術、納米纖維大麵積有序沉積、納米纖維高精度沉積、微電子係統等領域具有非常大的應用前景。
Sun 等在前期對近場電紡直寫(xie) 有序納米纖維的研究基礎上,探索出近場電紡技術製備納米溝道的方法。首先利用近場靜電紡絲(si) 技術將納米纖維按預定軌道直接沉積在襯底上,之後在襯底上磁控濺射一層金膜作溝道材料,後將該襯底在lu仿中進行超聲清洗,納米纖維及覆蓋在其上的金即被剝離,進而形成一條納米溝道。實驗表明,溝道的寬度和形狀受近場電紡工藝參數的影響,當近場電壓從(cong) 1.2kV 變化到2.5kV 時,相應的溝道寬度從(cong) 133nm 變化到13.54um。此外,除去直線型納米溝道,通過調節基底的移動規律還可製備網格狀及波浪狀納米溝道。 |
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