氧化銦納米纖維

來源：電紡期刊

In₂O₃ 作為(wei) 一種典型的N 型半導體(ti) 材料，具有一個(ge) 較寬的直接帶隙（3.75eV）和一個(ge) 間接帶隙（2.62eV）。由於(yu) In₂O₃ 具有較高的電導率、化學穩定性和較低的電子親(qin) 和力，使In₂O₃ 在半導體(ti) 傳(chuan) 感器、平板顯示器、太陽能轉化等微電子領域表現出極大的應用前景。

據相關(guan) 文獻報道，In₂O₃ 的微觀尺寸、形貌和結構特點對In₂O₃ 半導體(ti) 器件的性能有著重要影響。特別是對於(yu) 氣體(ti) 傳(chuan) 感器，其性能與(yu) 氧化銦的有效表麵區域和孔隙率有著極大的關(guan) 係。對於(yu) 檢測低濃度狀態下的汽油、酒精、氨氣、丁烷等有害氣體(ti) 方麵，基於(yu) 氧化銦材料的氣體(ti) 傳(chuan) 感器有著*的靈敏度。

例如，直徑為(wei) 60nm 的In₂O₃ 纖維對乙醇具有快速響應/恢複能力，可用來製作高性能氣敏傳(chuan) 感器；摻雜Pd 的In₂O₃ 納米纖維對於(yu) 乙醇的響應信號明顯特高，檢測下限低至1ppm；通過Ag 和Pt 的摻雜，In₂O₃ 電紡纖維可對甲醛和H₂S顯示出良好的響應和選擇性，在有毒氣體(ti) 的檢測方麵有潛在的應用。

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