氧化鋅納米纖維

ZnO是一種重要的II-V族直接帶係寬禁帶半導體(ti) 材料，且束縛激子能高達60meV，在短波長發光二極管、激光器、紫外探測器、氣敏元件、透明導電薄膜、稀磁半導體(ti) 、高頻和大功率器件及其相關(guan) 器件方麵有著廣闊的應用前景。

納米氧化鋅是一種具有多變結構的功能材料，已合成出氧化鋅納米帶、納米線、納米籠、納米環等多種形態結構。近年來，一維

ZnO納米結構材料具有*的物理化學性能，以及廣闊的應用前景而成為(wei) 研究的熱點，而ZnO納米纖維的一維連續性，使其有許多*的性質，在光催化、氣體(ti) 傳(chuan) 感等眾(zhong) 多領域皆有廣闊的應用前景，被譽為(wei) 是麵向21世紀的新型功能材料。

Yang等采用技術，以PVA/醋酸鋅為(wei) 前驅體(ti) ，先製備PVA/Zn(Ac)₂複合納米纖維，再在700℃下煆燒5h，成功製備了直徑為(wei) 50-100nmZnO納米纖維。Pei等采用靜電紡絲(si) 技術製備了TiO₂/ZnO複合納米纖維，並測定其對NO的光催化氧化活性，即測定NO的去除率，結果表明，在650℃煆燒製得的TiO₂/ZnO複合納米纖維，光催化性高。Ahmad等通過靜電紡絲(si) 技術製備ZnO納米纖維，然後修飾葡萄糖氧化酶，構建了葡萄糖的電化學分析傳(chuan) 感器。Wang等通過靜電紡絲(si) 法成功製備單一組分ZnO納米纖維和Ni 摻雜ZnO納米纖維，並且分別對乙炔傳(chuan) 感做了研究。結果發現，Ni摻雜ZnO納米纖維的Ni 可以形成纖維結構缺陷和影響ZnO帶寬，並且很大程度的提高ZnO納米纖維對乙炔傳(chuan) 感的敏感性，Ni 的佳摻雜濃度為(wei) 5％。

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